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未来十年AI胜负的关键，具有高带宽+高容量+低延时+低功耗等多重优点，机构测算该细分领域2024年产值有望翻4倍，这家公司相关产品已通过客户验证，现处于送样

老姜家财联新闻 2024年06月04日 08:31:13

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电报内容

【消息称美光下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势】《科创板日报》3日讯，业内人士表示美光正在研发的下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势。美光的新HBM产品在低功耗性能评估中表现出了优异的成绩。今年年底美光HBM产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为SK海力士和三星电子产能的20%左右，但预计明年将增加三到四倍。美光设定的目标是最早在明年下半年开发第6代HB(HBM4)，并预计在2028年开发第7代HBM4E。(etnews)

// 电报解读

一、HBM具有高带宽+高容量+低延时+低功耗的特点，先进封装将核心受益

HBM是将多个DDR芯片堆叠在一起后，再和GPU封装合成，通过增加带宽，扩展内存容量，组成DDR组合阵列，以此实现让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案所带来的延迟。

与传统DRAM芯片相比，HBM具有高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快A1数据处理速度。同时，HBM多层堆技术有望促进相关设备和材料的需求。

据量子位微信公众号，英伟达H200首搭141GB的HBM3E内存和4.8TB/s的带宽，相比H100，其内存容量和带宽有了明显的增加(H100内存容量为80GB和3.35TB/s带宽)

二、2023年全球HBM产值约43.6亿美元，2024年有望翻4倍达到169亿美元

由于HBM售价高昂、获利高，进而导致较高资金投入，同时，HBM较DDR5同制程与同容量尺寸大35-45%、良率则比起DDR5低约20-30%;生产周期也较DDR5多1.5-2个月，受益于AI需求强劲，GPU厂商提前锁单HBM产能，推动三大原厂持续积极扩

根据集邦咨询数据，截至2023年底，行业内整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%，供给位元年成长约260%。2023年HBM产值占DRAM整体约8.4%，约43.56亿美元，预估至2024年底将达169.14亿美元，占DRAM产值约20.1%。

国金证券研报指出，算力和存储是两个率先受益的领域，特别是在当前国产化大趋势下，算力和存储将决定未来十年AI胜负的关键，这将带动 HBM 强劲需求，国内 HBM 相关产业链有望加速发展。

未来十年AI胜负的关键，具有高带宽+高容量+低延时+低功耗等多重优点，机构测算该细分领域2024年产值有望翻4倍，这家公司相关产品已通过客户验证，现处于送样