这家公司已基本覆盖国内12英寸先进集成电路大生产线,相关设备处于国内领先地位

【电报解读】存储巨头斥资10亿美元加码先进封装业务,HBM快速迭代下,这一关键“新技术”成为设备材料发力点,这家公司已基本覆盖国内12英寸先进集成电路大生产线,相关设备处于国内领先地位

电报解读
电报内容
(SK海力士今年将投资10亿美元发展高带宽内存技术】财联社3月7日电,SK海力士加大对先进芯片封装业务的投入,希望抓住市场对高带宽内存(HBM)需求飙升的机遇。HBM是人工智能AI开发使用的一种关键组件。负责SK海力士封装开发的Lee Kang-Wook表示,这家总部利川的公司今年将在韩国投资逾10亿美元,来扩大和改善其芯片制造的最后步骤。
// 电报解读
存储产品价格持续上涨,有望打开量价齐升局面
伴随海外大厂持续降低稼动率、去库存,存储板块自2023年三季度触底反弹进入涨价上行通道。DRAM、NAND颗粒价格均自2023年四季度起涨,Wafer涨价趋势明显。
SK海力士今日宣布将投资10亿美元加大对先进芯片封装业务的投入,希望抓住市场对高带宽内存(HBM)需求飙升的机遇.
对此,东吴证券认为,随着需求的进一步回暖,涨价有望持续,量价齐升。此外,HBM、DDR5等高附加值产品渗透率逐步提升,有望拉动存储价格进一步上涨。
一、HBM迭代,3D混合键合成设备材料发力点
HBM突破“内存墙”,实现高带宽高容量,成为AI芯片最强辅助。目前HBM3以及HBM3e逐渐成为AI服务器主流配置。国金证券认为,随着单颗容量及配置颗数逐步增加,预计HBM4于2026年发布,2024年全球HBM市场有望超百亿美元。

这家公司已基本覆盖国内12英寸先进集成电路大生产线,相关设备处于国内领先地位  第1张

从新技术突破方向看,当前HBM采用“TSV+Bumping”+TCB键合方式堆叠,但随着堆叠层数的增加散热效率很差,TCB不再满足需求。在此背景下,华金证券指出HBM4剑指混合键合,由此会带来设备材料端发展新机遇。

根据其产业链研究,混合键合将充分带动永久键合设备与减薄+CMP需求。当前HBM方案主要带动固晶机、临时键合与解键合、塑封装备以及TSV所需的PECVD、电镀、CMP等设备;材料端则是TSV电镀液、塑封料等。

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