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供应缺口高达23%!这一细分领域将迎供需失衡“超级周期'，这家公司现已覆盖国内80%的8寸以上集成电路客户

老姜家财联新闻 2024年06月13日 08:23:49

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电报内容

【摩根士丹利:DRAM将迎供需失衡“超级周期”明年标准型DRAM供应缺口高达23%】《科创板日报》12日讯，摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%，将比HBM更缺，为近年罕见，价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。

// 电报解读

一、DRAM供应缺口高达23%

人工智能需求推动，叠加过去两年资本支出不足，内存市场正迎来前所未有的“超级周期”。摩根士丹利报告指出，存储将出现“前所未有”的供需失衡，内存的价格也水涨船高。

其认为，人工智能的快速发展将导致DRAM和HBM的供需失衡，预计2025年HBM的供应不足率为-11%，整个DRAM市场的供

应不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。

由于DRAM供应不足，加之过去两年的资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这将为内存市场超级周期提供了动力。内存的价格也将水涨船高，预计商品存储产品的价格将在2024年每季度以两位数速度上涨，2025年HBM的价格将更高，服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘将引领价格上涨。

二、存储复苏将带动上游材料需求

国金证券研报认为，存储芯片是半导体材料重要的使用场景，由于林片结构的差异，部分半导体材料在存储芯片的用量会显著大于逻辑芯片，例如对于电子特气，在相同产能的情况下，存储芯片的气体用量比逻辑芯片的气体用量大2-3倍，前驱体的用量也是存储芯片更高，并且随着今年以后HBM、DDR5等高性能存储的起量，相关材料的内部结构也将发生变化，价值量有望提升。

三、相关上市公司:

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