首页 - 财联新闻 - 正文 英伟达下一代数据中心GPU架构确认搭载HBM4,存力成为重要升级方向,这家公司现有量产的多款产品可以用于HBM存储芯片封装 老姜家 财联新闻 2024年06月19日 20:57:18 3768 0 0 电报内容【(美光拟扩大美国HBM芯片产能 并首次考虑在马来西亚生产HBM】《科创板日报》19日讯,知情人士透露,美国存储芯片制造商美光科技正在美国建设先进高带宽存储(HBM)芯片的测试生产线,并首次考虑在马来西亚生产HBM,以满足人工智能热潮带来的更多需求。美光表示,其目标是到2025年将HBM(AI芯片的关键组件)的市场份额提高三倍以上,达到20%左右。(日经亚洲)// 电报解读“Rubin”确认搭载HBM4,存力成为重要升级方向6月2日,英伟达(NVIDIA)CEO黄仁勋在COMPUTEX2024大会上发表主题为“开启产业革命的全新时代”的演讲,宣布Blackwell芯片已开始投产,其增强版Blackwell Ultra GPU芯片预计于2025年推出;下一代数据中心GPU架构名为“Rubin”将集成HBM4内存,Rubin GPU和Rubin Ultra GPU预计分别于2026年和2027年发布值得关注的是,基于Hopper架构的H200发布于2023年11月,搭载了6颗HBM3E芯片,容量为141GB,带宽为4.8TB/S。时隔仅4个月,英伟达发布了新一代GPU架构--Blackwel;Blackwel GPU搭载了8颗8层HBM3E芯片,容量达192GB,带宽高达8TB/S,现已开始投产:其增强版Blackwell Ultra GPU芯片预计于2025年推出,将搭载8颗12层HBM3E芯片。英伟达计划于2026年推出名为"Rubin”的下一代数据中心GPU架构。基于Rubin架构的Rubin GPU将配备8个HBM4芯片:其增强版Rubin Ultra GPU将集成12颗HBM4芯片,预计于2027年推出,这也是英伟达首次在其AI半导体芯片中使用12颗HBM芯片。二、三大原厂加速HBM迭代,推动产业链配套升级美光、SK海力士和三星三大存储原厂于2024年相继实现HBM3E的量产,同时加速推进HBM4的研发工作。具体来看,美光2月宣布量产HBM3E,并将搭载于NVIDIAH200TensorCoreGPU。该产品单引脚最大I/0速率超9.2Gbit/s,最高带宽超1.2TB/,层数为8层,容量为24GB,美光计划于2026年发布HBM4产品,最高带宽超1.5TB/,容量为36GB~48GB,堆鲁层数达到12/16层。SK海力士于2023年8月宣布成功开发出HBM3E,单引脚最大!/0速率为9.2Gbits,层数为12层,最高带宽超1.18TB/S;同时该产品采用了MR-MUF技术,散热性能提升10%。2024年3月,SK海力士宣布HBM3E已开始量产,2024年4月,SK海力士宣布将与台积电合作开发HBM4产品。三星方面则是于2023年10月推出其HBM3E产品:“Shinebolt”,单引脚最大!/0速率高达9.8Gbit/s,同时提供1.2TB/s的高带宽。根据Wccftech消息,8层HBM3E已于2024年4月量产,容量高达36GB的12层HBM3E于2024年二季度实现量产。华金证券研报指出,以英伟达为代表的A!芯片厂商正加快开发周期,作为A1芯片最强辅助的HBM也在加速迭代,推动HBM产业链持续配套升级的同时带来新需求。建议关注HBM产业链相关标的:1)封测环节;2)设备环节;3)材料环节。三、相关上市公司: 登录访问 本站用户 免费查看 登录账号 您未登录,请登录 或 注册后查看 这里是自定义内容,请在【用户中心配置 - 销售配置 - 登录访问 - 未登录时提示】修改 ♥赞 0 天承科技 艾森股份 分享: 扫描分享到社交APP 上一篇:6月20日海龟社区A股实盘直播 下一篇:中国宣布将把澳大利亚纳入单方面免签国家范围,对有钱国家免签越多越好!