英伟达下一代数据中心GPU架构确认搭载HBM4，存力成为重要升级方向，这家公司现有量产的多款产品可以用于HBM存储芯片封装

老姜家老姜家 财联新闻 2024年06月19日 20:57:18
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电报内容

【(美光拟扩大美国HBM芯片产能 并首次考虑在马来西亚生产HBM】《科创板日报》19日讯，知情人士透露，美国存储芯片制造商美光科技正在美国建设先进高带宽存储(HBM)芯片的测试生产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。美光表示，其目标是到2025年将HBM(AI芯片的关键组件)的市场份额提高三倍以上，达到20%左右。(日经亚洲)
// 电报解读
“Rubin”确认搭载HBM4，存力成为重要升级方向
6月2日，英伟达(NVIDIA)CEO黄仁勋在COMPUTEX2024大会上发表主题为“开启产业革命的全新时代”的演讲，宣布Blackwell芯片已开始投产，其增强版Blackwell Ultra GPU芯片预计于2025年推出;下一代数据中心GPU架构名为“Rubin”将集成HBM4内存，Rubin GPU和Rubin Ultra GPU预计分别于2026年和2027年发布
值得关注的是，基于Hopper架构的H200发布于2023年11月，搭载了6颗HBM3E芯片，容量为141GB，带宽为4.8TB/S。时隔仅4个月，英伟达发布了新一代GPU架构--Blackwel;Blackwel GPU搭载了8颗8层HBM3E芯片，容量达192GB，带宽高达8TB/S，现已开始投产:其增强版Blackwell Ultra GPU芯片预计于2025年推出，将搭载8颗12层HBM3E芯片。
英伟达计划于2026年推出名为"Rubin”的下一代数据中心GPU架构。基于Rubin架构的Rubin GPU将配备8个HBM4芯片:其增强版Rubin Ultra GPU将集成12颗HBM4芯片，预计于2027年推出，这也是英伟达首次在其AI半导体芯片中使用12颗HBM芯片。
二、三大原厂加速HBM迭代，推动产业链配套升级
美光、SK海力士和三星三大存储原厂于2024年相继实现HBM3E的量产，同时加速推进HBM4的研发工作。
具体来看，美光2月宣布量产HBM3E，并将搭载于NVIDIAH200TensorCoreGPU。该产品单引脚最大I/0速率超9.2Gbit/s，最高带宽超1.2TB/，层数为8层，容量为24GB，美光计划于2026年发布HBM4产品，最高带宽超1.5TB/，容量为36GB~48GB，堆鲁层数达到12/16层。
SK海力士于2023年8月宣布成功开发出HBM3E，单引脚最大!/0速率为9.2Gbits，层数为12层，最高带宽超1.18TB/S;同时该产品采用了MR-MUF技术，散热性能提升10%。2024年3月，SK海力士宣布HBM3E已开始量产，2024年4月，SK海力士宣布将与台积电合作开发HBM4产品。
三星方面则是于2023年10月推出其HBM3E产品:“Shinebolt”，单引脚最大!/0速率高达9.8Gbit/s，同时提供1.2TB/s的高带宽。根据Wccftech消息，8层HBM3E已于2024年4月量产，容量高达36GB的12层HBM3E于2024年二季度实现量产。
华金证券研报指出，以英伟达为代表的A!芯片厂商正加快开发周期，作为A1芯片最强辅助的HBM也在加速迭代，推动HBM产业链持续配套升级的同时带来新需求。建议关注HBM产业链相关标的:1)封测环节;2)设备环节;3)材料环节。
三、相关上市公司:


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