该先进半导体领域产能售罄至2025年,需求增速有望达70%,三星、美光、海力士等巨头纷纷布局,这家企业产品可用于相关先进封装

电报解读

电报内容
【消息称三星华城17号产线已量产HBM3内存】《科创板日报》22日讯,三星华城17号产线已量产并向英伟达供应HBM3内存。此外,为弥补HBM供应造成的通用DRAM内存供应短缺,平泽P4工厂转为DRAM专用生产线。(sedaily)
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一、HBM具有高带宽、高容量、低功耗等优势
HBM属于DRAM(动态随机存取存储器)中的一个类别,通过将多个存储器堆叠在一起,形成高带宽、高容量、低功耗等优势,突破了内存容量与带宽瓶颈。与DDR对比,HBM基于TSV工艺与处理器封装干同一中介层,在带宽,面积、功耗等多方面更具优势,缓解了数据中心能耗压力及带宽瓶颈。
二、HBM产能售罄至2025年
甬兴证券研报指出,据CFM闪存市场报道,随着人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和数据中心的快速发展,HBM芯片市场需求激增。HBM芯片在通用内存市场的占比已从8%增长至15%,成为许多高性能应用的首选。美光科技(Micron)和SK海力士(SKHynix)作为HBM市场的主要玩家,近期均宣布其HBM生产产能已全部售直至2025年
此外,据报道,SK海力士副总裁兼封装技术开发负责人MoonKi-i于首尔举办的活动上表示,预计HBM内存的复合年增长率(CAGR)将达到70%,市场研究机构TrendForce集邦咨询曾认为2021~2027年HBM内存市场的CAGR将为26.4%,但下游客户的需求远远超过了第三方机构的预期。
三、相关上市公司:


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